半導體級高純多晶硅石英坩堝是拉制大直徑單晶硅的消耗性器皿，每生產(chǎn)一爐單晶硅就用掉一只坩堝。單晶硅是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的原材料，對坩堝的要求十分苛刻。一般國際上對多晶硅石英坩堝的要求：材質(zhì)需要是高純度半導體級；耐高溫性強；坩堝的尺寸大；精度高；保溫性能好；節(jié)約能源；產(chǎn)品質(zhì)量一致性好；穩(wěn)定性高等特點。多晶硅石英坩堝在使用時應(yīng)注意兩點：
　　1、多晶硅石英坩堝可在1700度以下灼燒，但灼燒溫度高于1100度石英會變成不透明，因此熔融溫度不應(yīng)超過800度。
　　2、不能和HF接觸，高溫時，極易和苛性堿及堿金屬的碳酸鹽作用。
　　以上介紹的就是關(guān)于多晶硅石英坩堝的使用注意事項，大家可以簡單的了解下，后期如果想了解更多可以繼續(xù)關(guān)注我們。